特許
J-GLOBAL ID：200903011783050975
半導体装置用基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129121
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338464
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 ULSIの製造に最適な表面構造をもったシリコン単結晶ウェーハ、または、その表面にシリコン単結晶薄膜を成長させた半導体装置用基板を得る。【構成】 (100)面に近い主表面をもつシリコン単結晶ウェーハ、または、このウェーハに、気相成長法によりシリコン単結晶薄膜を成長させたものにおいて、最表面の結晶学的ステップ密度が約1010個/cm2 以下であることを特徴とする半導体装置用基板である。
請求項（抜粋）：
(100)面に近い主表面をもつシリコン単結晶ウェーハでなる半導体装置用基板において、最表面の結晶学的ステップ密度が約1010個/cm2 以下であることを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (2件)：
引用特許：
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