特許
J-GLOBAL ID：200903011783173546
集積回路にコンタクトプラグを形成し、同時に基板表面を平坦化する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127746
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003915
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 集積回路にコンタクトプラグ形成すると同時に基板表面を平坦化する方法を提供する。【解決手段】 多数の拡散領域を有する半導体基板上に導電構造を形成する段階と、導電構造を含んで半導体基板全面に導電構造が形成されない2番目領域B、Dより導電構造が形成された1番目領域A、Cよりさらに高いステップを有する第1絶縁膜を形成する段階と、コンタクトホール形成用マスクを使用して第1絶縁膜をエッチングする段階と、第1絶縁膜上に導電膜を形成する段階と、第1絶縁膜の上部表面が露出されるときまで導電膜をエッチングする段階と、第1絶縁膜全面に第2絶縁膜を形成する段階と、コンタクトプラグを形成し、同時に2番目領域B、Dにある第2絶縁膜の一部を残すことによって基板表面を平坦化するように第2絶縁膜と第1絶縁膜を平坦化エッチングすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
集積回路でコンタクトプラグを形成するための方法において、多数の拡散領域を有する半導体基板上に導電構造を形成する段階と、前記導電構造を含んで前記半導体基板全面に前記導電構造が形成されない2番目領域B、Dより導電構造が形成された1番目領域A、Cにもっと高いステップを有する第1絶縁膜を形成する段階と、コンタクトホールを形成するためのコンタクトホール形成用マスクを使用して前記第1絶縁膜をエッチングする段階と、前記コンタクトホールを導電膜で充填しながら前記第1絶縁膜上に前記導電膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜の上部表面が露出されるときまで前記導電膜をエッチングする段階と、前記第1絶縁膜全面に第2絶縁膜を形成する段階と、コンタクトプラグを形成し、同時に2番目領域B、Dにある前記第2絶縁膜の一部を残すことによって前記基板表面を平坦化するように前記第2絶縁膜と前記第1絶縁膜を平坦化エッチングすることを特徴とするコンタクトプラグ形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
H01L 21/88 K
, H01L 21/28 B
