特許

J-GLOBAL ID：200903011825576425

不純物原子の導入方法

発明者： 平木 昭夫 ,  森 勇介 ,  平尾 孝 ,  北畠 真 ,  出口 正洋 ,  西村 一仁
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  大阪ダイヤモンド工業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256821
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020982
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 ダイヤモンド、BN、SiC又は有機物半導体に不純物原子を導入する方法を提供する。【構成】 不純物となる粒子を加速して、エネルギーを持たせて、ダイヤモンド、BN、SiC、又は有機物半導体材料に照射することである。また、ダイヤモンド、BN、SiC又は有機物半導体材料に、加速した粒子を照射後に水素ラジカル又は水素イオンを含む雰囲気に晒すことである。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド、BN、SiC又は有機物半導体の材料に、加速された粒子を照射することによってその粒子を前記材料に導入することを特徴とする不純物原子の導入方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  C01B 21/064 ,  C01B 31/06 ,  C23C 8/36

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-076168
  
• 特開平3-022526