研究者
J-GLOBAL ID:200901088982038068   更新日: 2025年09月18日

森 勇介

モリ ユウスケ | Mori Yusuke
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (3件): 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (4件): 電気材料工学 ,  Organic and bio-electronic crystal ,  Nonlinear Optical Crystal ,  Functional nitride materials
競争的資金等の研究課題 (48件):
  • 2023 - 2026 OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術
  • 2020 - 2023 OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術
  • 2020 - 2021 低反りGaN結晶両面研磨技術の研究開発
  • 2019 - 2021 高品質窒化ガリウム単結晶基板の開発と市場価値評価に関する共同研究
  • 2017 - 2021 電気泳動リアルタイム観察装置の研究開発
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論文 (641件):
  • Yutaro Tanaka, Ichiro Tsujino, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Atsushi Okada, Kenjiro Kohri, Takahiro Yasui, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Mihoko Maruyama. Cooling-induced brushite crystallization in urine as a predictive risk marker for calcium kidney stone recurrence. Urolithiasis. 2025. 53. 1. 172-1-172-11
  • Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori. Suppression of Inclusions in GaN Crystals Caused by Giant Steps During Na-Flux Growth through the Flux-Film-Coated Technique. Crystal Growth & Design. 2025. 25. 15. 6277-6286
  • Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, et al. High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 5. 055504-1-055504-5
  • Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori. Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation behavior in the Na-flux point seed technique. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 5. 055502-1-055502-10
  • Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura. Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect. Journal of Crystal Growth. 2025. 649. 127948-1-127948-6
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MISC (345件):
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特許 (67件):
書籍 (14件):
  • Engineering Crystal Habit
    Springer Singapore 2025
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    エヌ・ティー・エス 2022 ISBN:9784860437671
  • 医薬品原薬の結晶化と物性評価:その最先端技術と評価の実際
    シーエムシー出版 2019 ISBN:9784781314020
  • Kinetic Control in Synthesis and Self-Assembly 1st Edition
    2018 ISBN:9780128121269
  • ポストシリコン半導体 : ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果
    エヌ・ティー・エス 2013 ISBN:9784864690591
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講演・口頭発表等 (141件):
  • 「第13回化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞)受賞記念講演」 Naフラックス法を活用した大口径高品質GaN結晶育成技術の創成と社会実装
    (第70回応用物理学会 春季学術講演会 2023)
  • Naフラックス法におけるGa<sub>2</sub>O<sub>3</sub>誘起ファセット成長を活用したGaN結晶の転位密度低減
    (第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
  • aフラックス法におけるポイントシード間距離がGaN結晶転位密度に与える影響
    (第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
  • Naフラックス法におけるファセット成長後のGaN結晶平坦化及び低転位密度化
    (第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
  • 酸素濃度を低減したOVPE-GaNの熱物性評価
    (第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
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Works (170件):
  • 真空紫外レーザー光発生用非線形光学結晶の開発
    2011 -
  • Naフラックス法を用いた高品質GaNエピタキシャル成長基板成長技術に関する研究
    2011 -
  • SiC単結晶溶液成長における流動制御
    2010 -
  • 高品質大口径単結晶基板の開発
    2010 -
  • Naフラックス法を用いた高品質GaNエピタキシャル成長基板成長技術に関する研究
    2010 -
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学歴 (3件):
  • 1991 - 1993 大阪大学 大学院工学研究科 (専攻)電気工学専攻 - 博士後期課程
  • 1989 - 1991 大阪大学 大学院工学研究科 (専攻)電気工学専攻 - 博士前期課程
  • 1985 - 1989 大阪大学 工学部
学位 (2件):
  • 修士(工学) (大阪大学)
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (7件):
  • 2007/05 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 教授
  • 2021/05 - 2026/04 大阪大学大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻
  • 2007/04 - 2007/04 大阪大学 大学院工学研究科 准教授
  • 2000/10 - 2007/03 大阪大学 大学院工学研究科 助教授
  • 1999/05 - 2000/09 大阪大学 大学院工学研究科 講師
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委員歴 (6件):
  • 2006 - 日本結晶成長学会 理事・総務委員会委員長
  • 2005 - レーザー学会 編集委員会委員
  • 2004 - 応用物理学会講演会企画運営委員会 講演会企画運営員及び講演奨励委員
  • 2004 - 応用物理学会講演会企画運営委員会 講演会プログラム編集委員
  • 2004 - 日本結晶成長学会 理事(庶務担当)
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受賞 (29件):
  • 2024/11 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会貢献賞
  • 2024/06 - 一般社団法人 日本赤外線学会 第十回日本赤外線学会論文賞
  • 2023/03 - 応用物理学会 化合物半導体エレクトロニクス業績賞 Naフラックス法を用いた大口径高品質GaN結晶育成技術の創成と社会実現
  • 2008 - 第15回日本結晶成長学会 技術賞
  • 2008 - 文部科学大臣表彰科学技術賞
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所属学会 (6件):
応用物理学会講演会企画運営委員会 ,  レーザー学会 ,  日本結晶成長学会 ,  電気学会 ,  ニューダイヤモンドフォーラム ,  応用物理学会
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