濃度分布の解析方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-319631
公開番号（公開出願番号）：特開平8-178876
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】基板の深さ方向の特定イオンの濃度分布のみ成らず、基板に対して水平方向の濃度分布をも正確に解析することができる濃度分布の解析方法を提供すること。【構成】濃度分布を解析すべき基板2の表面に、当該基板と異なる材質のダミー膜4を成膜し、膜厚が異なる前記ダミー膜4が成膜されたサンプル基板2を複数種類準備する。複数種類のサンプル基板2に対して、ダミー膜4方向から、略同一条件で特定の不純物を導入する。不純物が導入されたサンプル基板2の表面に存在するダミー膜4を除去する。ダミー膜4が除去された各サンプル基板2の側方Eから、二次イオン質量分析を行う。異なる膜厚のダミー膜4が成膜されていたサンプル基板2相互の前記二次イオン質量分析結果の差分を、逐次算出する。

請求項（抜粋）：

濃度分布を解析すべき基板の表面に、当該基板と異なる材質のダミー膜を成膜し、膜厚が異なる前記ダミー膜が成膜されたサンプル基板を複数種類準備する工程と、前記複数種類のサンプル基板に対して、前記ダミー膜方向から、略同一条件で特定の不純物を導入する工程と、前記不純物が導入されたサンプル基板の表面に存在する前記ダミー膜を除去する工程と、前記ダミー膜が除去された各サンプル基板の側方から、破壊式質量分析を行う工程と、異なる膜厚のダミー膜が成膜されていたサンプル基板相互の前記質量分析結果の差分を、逐次算出する工程とを有する濃度分布の解析方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

固体表面元素分析装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006196 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-253553
特開平2-253553

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