特許

J-GLOBAL ID：200903011864607311

磁気ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、磁気記録再生装置及び磁性メモリ

発明者： 早川 純
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-083869
公開番号（公開出願番号）：特開2003-281705
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 高出力な磁気抵抗効果素子を備えた磁気再生ヘッドをもつ磁気記録装置と高偏極スピン注入手段による磁化反転機能を持つランダムアクセス磁性メモリを提供する。【解決手段】 高偏極スピン注入手段を巨大磁気抵抗効果素子に付加し、3端子型素子にすることにより、再生信号の高出力化が可能な磁気ヘッドを備えた磁気記録再生装置と電流磁場によらない磁化反転機能を持つ高集積化容易なランダムアクセス磁性メモリを実現可能となる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子と、バイアス電圧印加によりスピン偏極電流を発生する電流発生手段と、前記電流発生手段にバイアス電圧を印加する第1の端子と、前記磁気抵抗効果素子の電圧を検出する第2の端子と、前記バイアス電圧印加と前記磁気抵抗効果素子の電圧検出に共用される第3の端子とを備えたことを特徴とする磁気ヘッド。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/15 110 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/15 110 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (15件)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049CB06 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-008172   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-057908   出願人：松下電器産業株式会社