特許
J-GLOBAL ID：200903025487145317
磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-057908
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237471
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 熱的安定性と高MR比とを有する磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、外部磁界により容易に磁化回転する自由層と、第1非磁性層と、該第1非磁性層に対して該自由層の反対側に設けられ、該外部磁界により容易には磁化回転しない第1固定層とを含み、該第1固定層と該自由層との少なくとも一方は、該第1非磁性層と接する第1金属磁性膜と、第1酸化物磁性膜とを含む。
請求項（抜粋）：
外部磁界により容易に磁化回転する自由層と、第1非磁性層と、該第1非磁性層に対して該自由層の反対側に設けられ、該外部磁界により容易には磁化回転しない第1固定層とを含み、該第1固定層と該自由層との少なくとも一方は、該第1非磁性層と接する第1金属磁性膜と、第1酸化物磁性膜とを含む磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 41/18
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 41/18
, H01L 43/12
5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BB08
, 5D034BB12
, 5D034CA08
, 5D034DA05
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AB02
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049GC02
, 5E049GC08
