特許

J-GLOBAL ID：200903011876987292

素子分離構造の形成方法

発明者： 中村 智史
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110597
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326089
出願日： 1993年05月12日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】素子分離構造の形成方法において、歩留りを向上させること。【構成】シリコン基板11上に、パッド酸化膜12、耐酸化性膜11及び非晶質シリコンあるいは微結晶シリコンからなる微小粒子のシリコン膜13を順次形成する。耐酸化性膜14上に素子形成領域16を規定するレジスト15をパターン形成する。このレジスト15をマスクとして、エッチングによりシリコン膜13の一部をパターニングする(図2(a))。レジスト15を取り除いた後、耐酸化性膜14をマスクとした選択的な熱処理を行い、フィールド酸化膜17を成長させる(図2(b) )。【効果】バーズビーク18の表面に凹凸ができないため、バーズビークに電極材料が残留せず、ゲート電極のショートを無くすことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にパッド酸化膜を形成する工程、上記パッド酸化膜上に微小粒子のシリコン膜を形成する工程、上記シリコン膜上に耐酸化性膜を形成する工程、所定領域に上記耐酸化性膜が残るように、シリコン膜の一部を選択的にエッチングする工程、及び上記工程で残存した耐酸化性膜をマスクとした選択的な酸化により、耐酸化性膜が残存している領域以外の領域にフィールド酸化膜を成長させる工程を含むことを特徴とする素子分離構造の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/76

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-305398   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平2-052433
  
• 特開平4-155829