特許

J-GLOBAL ID：200903011890535701

化学増幅レジストのパターン形成方法

発明者： 伴 弘司 ,  田中 啓順 ,  中村 二朗 ,  出口 公吉
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中本 宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014091
公開番号（公開出願番号）：特開平7-209875
出願日： 1994年01月13日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 従来の保護膜材料に起因する欠点を克服し、レジスト特性を損なわず、かつ、安全性の高いプロセスを構築できる、化学増幅レジストのパターン形成方法を提供する。【構成】 基板上の化学増幅レジストに有機膜を塗布した後の露光、熱処理、該有機膜の選択的はく離、該レジストの現像の一連の工程を含む化学増幅レジストのパターン形成方法において、前記有機膜として、ポリ(α-メチルスチレン)からなる有機膜を使用する化学増幅レジストのパターン形成方法。【効果】 パターン形成プロセスが高い制御性で行うことができ、かつ、レジストの特性を十分に発揮させることができるので、微細加工技術への寄与が非常に大きい。

請求項（抜粋）：

基板上の化学増幅レジストに有機膜を塗布した後の露光、熱処理、該有機膜の選択的はく離、該レジストの現像の一連の工程を含む化学増幅レジストのパターン形成方法において、前記有機膜として、ポリ(α-メチルスチレン)からなる有機膜を使用することを特徴とする化学増幅レジストのパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/26 511

引用特許：

審査官引用 (1件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-244714   出願人：株式会社東芝