特許
J-GLOBAL ID：200903011901012900
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-001189
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196657
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 垂直磁化を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子においては、磁性層と薄い非磁性層との界面に生じる磁極の影響が著しいため、垂直磁化を安定に維持することが困難である。【解決手段】 少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層から構成され、第1の磁性層は低い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であり、第2の磁性層は高い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であって、第2の磁性層は、小さな飽和磁化を有する、希土類-遷移金属からなる非晶質合金膜から構成される。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層から構成され、前記第1および第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子において、前記第1または第2の磁性層のどちらか一方が室温付近に補償点を有するフェリ磁性体で構成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
