特許
J-GLOBAL ID：200903031890737453

磁気抵抗素子及び磁気抵抗メモリ素子

発明者：
池田 貴司

池田 貴司 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110050
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307170
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 小さな印加磁界で動作する微細化可能な磁気抵抗素子及び磁気抵抗メモリの提供。【解決手段】 少なくとも磁性層/非磁性層/磁性層の膜構成からなる多層膜であって、該二つの磁性層の保磁力が異なっており、共に膜面法線方向に磁気異方性を有し、大きな保磁力を有する磁性層の保磁力が、小さな保磁力を有する磁性層の磁化飽和磁界よりも大きく、該磁性層の少なくとも一方がガドリニウムと遷移金属を主成分とすることを特徴とする磁気抵抗素子及び磁気抵抗メモリ。
請求項（抜粋）：
少なくとも磁性層/非磁性層/磁性層の膜構成からなる多層膜であって、該二つの磁性層の保磁力が異なっており、共に膜面法線方向に磁気異方性を有し、大きな保磁力を有する磁性層の保磁力が、小さな保磁力を有する磁性層の磁化飽和磁界よりも大きく、該磁性層の少なくとも一方がガドリニウムとFe、Co及びNiから選択された1種以上の遷移金属を主成分とすることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2件)：
H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (2件)：
H01L 43/08 Z ,  G11C 11/15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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