特許

J-GLOBAL ID：200903011925673258

半導体発光素子及び半導体発光装置

発明者： 紺野 邦明 ,  鎌倉 孝信
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-189314
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026395
出願日： 2003年07月01日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】マウント面側のn側オーミック電極の方向に進行した発光を発光素子の外部に効率よく取出すことができる半導体発光素子及びこれを搭載した半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】第1及び第2の主面を有するGaP基板と、前記GaP基板の前記第1の主面上に設けられたInGaAlP系半導体からなる発光層と、前記発光層の上に設けられたコンタクト層と、前記コンタクト層の上に選択的に設けられたオーミック電極と、前記オーミック電極及びその周囲の前記コンタクト層を覆うようの設けられた金属層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1及び第2の主面を有するGaP基板と、 前記GaP基板の前記第1の主面上に設けられたInGaAlP系半導体からなる発光層と、 前記発光層の上に設けられたコンタクト層と、 前記コンタクト層の上に選択的に設けられたオーミック電極と、 前記オーミック電極及びその周囲の前記コンタクト層を覆うように設けられた金属層と、 を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (3件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 B ,  H01L33/00 N

Fターム (27件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA53 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA08 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA43 ,  5F041DA55 ,  5F041DA56 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041DA74 ,  5F041DA77 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-139181   出願人：ローム株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-058478   出願人：関西日本電気株式会社
• 半導体発光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-049590   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-035568