高移動性バルク・シリコンPFET

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏 , 坂口博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-532586
公開番号（公開出願番号）：特表2008-514016
出願日： 2005年09月19日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】従来のPFETに比べて減少されたシリコン面積および電力消費での高速のスイッチング速度をもつ改良されたPFETと、改良されたPFETと同時に製造されることができるNFETとの両方を提供すること。【解決手段】電界効果トランジスタ(100)及び電界効果トランジスタを製造する方法である。電界効果トランジスタは、ゲート誘電体層(155)の上面(170)に形成されたゲート電極(165)と、単結晶シリコン・チャネル領域(110)の上面(160)のゲート誘電体層と、Ge含有層(135)の上面の単結晶シリコン・チャネル領域と、単結晶シリコン基板(150)の上面のGe含有層と、単結晶シリコン基板の上面における第1誘電体層(215A)と第2誘電体層(215B)との間のGe含有層とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタであって、ゲート誘電体層の上面に形成されたゲート電極を備え、前記ゲート誘電体層は単結晶シリコン・チャネル領域の上面にあり、前記単結晶シリコン・チャネル領域はGe含有層の上面にあり、前記Ge含有層は単結晶シリコン基板の上面にあり、前記Ge含有層は前記単結晶シリコン基板の前記上面の第1誘電体層と第2誘電体層との間にある、電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (6件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 618C , H01L29/78 618E , H01L29/78 616V , H01L27/08 321C , H01L27/08 321E

Fターム (92件)：

5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA09 , 5F048BA14 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BC06 , 5F048BC11 , 5F048BC16 , 5F048BC18 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F110AA01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110EE33 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG39 , 5F110GG47 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ06 , 5F110HJ13 , 5F110HJ14 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK37 , 5F110HM02 , 5F110HM07 , 5F110NN62 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA01 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB01 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BG39 , 5F140BG49 , 5F140BG53 , 5F140BH07 , 5F140BH14 , 5F140BH28 , 5F140BH34 , 5F140BH35 , 5F140BH36 , 5F140BH45 , 5F140BK02 , 5F140BK08 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK17 , 5F140BK18 , 5F140BK23 , 5F140CB04 , 5F140CE07 , 5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (3件)

局所選択酸化を用いた絶縁体上のバルクおよびひずみを有するシリコン
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-293720 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
漏れ電流の低い半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-078244 出願人：フランセテレコム
電界効果型半導体装置、電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-163600 出願人：三洋電機株式会社, 松尾直人

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