特許

J-GLOBAL ID：200903064606636257

電界効果型半導体装置、電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 松尾 直人
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  松尾 直人
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163600
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017172
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 短チャネル効果を抑制することが可能でかつ精度良く作製することができる電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】 p型シリコン基板1の表面に所定間隔を隔ててn+ 層からなるソース領域4およびドレイン領域5が形成されている。ソース領域4とドレイン領域5との間におけるシリコン基板1の領域がチャネル領域7となる。チャネル領域7上にゲート酸化膜2およびゲート電極3が順に形成されている。ソース領域4とチャネル領域7との間およびドレイン領域5とチャネル領域7との間にそれぞれトンネル酸化膜6a,6bが挿入されている。トンネル酸化膜6a,6bによりソース領域4およびドレイン領域5の端部で電圧降下が発生し、ドレイン領域5の端部で電界の急激な増加が抑制される。

請求項（抜粋）：

ソース領域とドレイン領域との間にチャネル領域が設けられ、前記ソース領域とチャネル領域との間および前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間にそれぞれトンネル絶縁膜が挿入されたことを特徴とする電界効果型半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• MOS FET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-065285   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭62-154668