特許

J-GLOBAL ID：200903011933773385

半導体装置およびその製造方法

発明者： 土屋 義規 ,  小山 正人 ,  吉木 昌彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-063290
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242894
出願日： 2006年03月08日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】 本発明は、しきい値ばらつきの小さい半導体装置およびその製造方法を提供するものである。【解決手段】 第1の発明の半導体装置は、P型半導体層と、P型半導体層上に形成された第1ゲート絶縁層と、第1ゲート絶縁層上に形成され、格子定数が5.39Å以上5.40Å以下である立方晶のNiSi2結晶相を有する第1ゲート電極と、第1ゲート電極をゲート長方向に挟むP型半導体領域に形成された第1ソース・ドレイン領域とを有するNチャネルMISトランジスタを具備することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

P型半導体層と、 前記P型半導体層上に形成された第1ゲート絶縁層と、 前記第1ゲート絶縁層上に形成され、格子定数が5.39Å以上5.40Å以下である立方晶のNiSi2結晶相を有する第1ゲート電極と、 前記第1ゲート電極をゲート長方向に挟む前記P型半導体領域に形成された第1ソース・ドレイン領域とを有するNチャネルMISトランジスタを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (9件)：

H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618C ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G

Fターム (144件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD55 ,  4M104DD66 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BD06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F048CB08 ,  5F048DA27 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BB05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF32 ,  5F140BF33 ,  5F140BF37 ,  5F140BF42 ,  5F140BG08 ,  5F140BG22 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG32 ,  5F140BG34 ,  5F140BG35 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG56 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-360091   出願人：富士通株式会社