特許

J-GLOBAL ID：200903011942071601

パターン欠陥検査方法および装置

発明者： 長谷川 正樹 ,  村越 久弥
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-370350
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179255
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】ミラー電子を使った電子線式検査装置においては、ウェハ上で予備帯電された領域の境界が像となって現れてしまい、正しい検査ができなかった。また、予備帯電は検査と同時に行われるため、照射時間を長くする必要がある場合、ステージの移動速度を遅くせざるを得ず、検査速度が遅くなってしまっていた。【解決手段】予備照射のビーム源とウェハとの間に、そのサイズが可変な開口を設け、その大きさの一辺をウェハのチップ列の幅と等しくなるように設定し、かつ、チップ列と垂直方向へのウェハの動きに合わせて、開口も移動するように制御する。また、ステージの移動速度を遅くすること無く、ウェハの検査時のステージ移動途中に十分なビーム照射ができるように、その開口をチップ列と平行な方向に大きくするよう設定できるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一の電子線を試料に照射する照射光学系と、 前記試料を載置する試料ステージと、 前記試料ステージを2次元的に移動させる手段と、 前記試料上に形成された回路パターン像を形成する手段と、 紫外線源または第二の電子線源を有し、 前記紫外線源または第二の電子線源より発生した紫外線または第二の電子線を前記試料表面上に照射する手段と、 前記紫外線あるいは第二の電子線の前記試料表面への照射を所望の矩形領域に制限する手段とを備えることを特徴とする電子線応用装置。

IPC (6件)：

H01J 37/20 ,  G01B 15/00 ,  G01N 23/00 ,  H01J 37/09 ,  H01J 37/29 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

H01J37/20 H ,  G01B15/00 B ,  G01N23/00 ,  H01J37/09 A ,  H01J37/29 ,  H01L21/66 J

Fターム (47件)：

2F067AA62 ,  2F067CC17 ,  2F067EE10 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067MM02 ,  2F067PP12 ,  2F067RR35 ,  2F067UU01 ,  2G001AA03 ,  2G001AA07 ,  2G001AA10 ,  2G001BA07 ,  2G001BA15 ,  2G001CA03 ,  2G001DA01 ,  2G001DA09 ,  2G001EA05 ,  2G001FA01 ,  2G001FA06 ,  2G001GA04 ,  2G001GA08 ,  2G001HA12 ,  2G001HA13 ,  2G001JA11 ,  2G001JA12 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA01 ,  2G001PA07 ,  2G001PA11 ,  2G001QA01 ,  2G001RA10 ,  2G001SA01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA07 ,  4M106CA39 ,  4M106DB01 ,  4M106DB04 ,  5C001AA08 ,  5C001BB07 ,  5C001CC08 ,  5C001DD00 ,  5C033BB02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 電子ビーム検査方法とそのシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-124951   出願人：日本ケー・エル・エー株式会社
• ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-041346   出願人：株式会社東芝
• パターン欠陥検査方法および検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-269500   出願人：株式会社日立製作所
• ウェハ欠陥検査方法及びウェハ欠陥検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-170796   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ