特許
J-GLOBAL ID：200903076140168868
パターン欠陥検査方法および検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269500
公開番号（公開出願番号）：特開平11-108864
出願日： 1997年10月02日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の同一設計パターンの欠陥,異物,残渣等を電子線により検査する装置において、検査の高速化を実現すること。【解決手段】半導体試料7の表面に一定の面積を持った電子ビーム(面積ビーム)を照射し、試料表面からの反射電子を結像レンズ11により結像して、半導体試料7表面の複数の領域の画像を取得して画像記憶部18,19に記憶させ、この記憶された複数の領域の画像同士を比較することによって、上記領域内における欠陥の有無および欠陥の位置を計測する。【効果】半導体試料表面に照射する電子ビームを面積ビームとしたので、点状ビームを用いる場合に比べ、検査の高速化,効率化が図れる。
請求項（抜粋）：
電子源からの電子ビームを試料表面の一定の面積領域に拡げて同時に照射する電子ビーム照射手段と、該面積領域より得られる後方散乱電子または二次電子を結像させて上記面積領域についての拡大像を形成する像形成手段と、上記試料表面の所望位置に上記電子ビームが照射されるよう上記試料を移動させる試料移動手段と、上記像形成手段により形成された上記面積領域についての上記拡大像を画像信号に変換する画像信号取得手段と、該画像信号取得手段により取得された上記試料表面上の一の面積領域についての画像信号を他の面積領域についての画像信号と比較して上記一の面積領域におけるパターン欠陥を検出する欠陥検出手段とを有してなることを特徴とするパターン欠陥検査装置。
IPC (5件)：
G01N 23/225
, G01N 23/20
, H01J 37/26
, H01L 21/027
, H01L 21/66
G01N 23/225
, G01N 23/20
, H01J 37/26
, H01L 21/66 J
, H01L 21/66 Z
, H01L 21/30 502 V
