特許

J-GLOBAL ID：200903011943137045

半導体レーザ

発明者： 天明 二郎 ,  福田 光男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128723
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338656
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 結晶内の転位に起因する突然劣化を防止し、0.86〜1.07μm帯、特に0.98μm帯で発振し、高出力時で特性劣化のない高性能半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 単一或いは多重のInyGa1-yAs量子井戸層からなる活性層(6)とAlxGa1-xAsからなる上下クラッド層(3,9)並びにGaAsコンタクト層(10)、GaAsバッファ層(2)等で構成されたレーザエピタキシャル成長膜において、基板(1)及び全層(2,3,6,9,10)に、少なくとも前記GaAsコンタクト層(10)、また、上部クラッド層ないし下部クラッド層(3,9)並びにGaAsバッファ層(2)等にInが2×1019〜3×1020cm-3の濃度範囲でドープされたものである。

請求項（抜粋）：

単一或いは多重のIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As量子井戸層(0<y<0.5)からなる活性層とAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Asからなる上下クラッド層並びにGaAsコンタクト層、GaAsバッファ層等で構成されたレーザエピタキシャル成長膜において、少なくとも前記GaAsコンタクト層にInが1×10<SP>19</SP>〜3×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>の濃度範囲でドープされたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-132288
  
• 特開昭62-081786