特許

J-GLOBAL ID：200903011949560047

細孔を有する金多孔質体およびその製造方法

発明者： 三浦 誠司 ,  渡辺 精一 ,  須田 孝徳 ,  毛利 哲夫 ,  大久保 賢二
出願人/特許権者： 国立大学法人 北海道大学
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-103364
公開番号（公開出願番号）：特開2007-277613
出願日： 2006年04月04日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】本発明の目的は、孔径が50〜1000nmである細孔を有する金多孔質体の製造方法、および当該金多孔質体を提供することである。【解決手段】本発明にかかる金多孔質体の製造方法は、例えば、モリブデン板を塩化金塩酸に1時間浸漬し、金ナノ粒子を析出させる工程(「コーティング工程」)、アルゴン雰囲気中930°Cで10分間、上記モリブデン板を加熱して金ナノ粒子同士を接合する工程(「焼結工程」)、および酸化雰囲気中で上記モリブデン板を900°C程度まで加熱してモリブデン板を酸化および昇華させて除去する工程(「昇華工程」)を含む。上記製造方法により、例えば、孔径が100〜300nmである細孔を有し、空孔率は14.5%、厚さ500nmである膜状金多孔質体を製造することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

表面が金よりも卑な金属よりなる基盤の表面を、金粒子でコートし、 当該金粒子が互いに焼結し、当該基盤の表面に所望の孔径を有する孔が形成される温度および時間で、不活性ガス雰囲気中、真空雰囲気中、または還元雰囲気中で、当該基盤を加熱し、 さらに、当該基盤を酸化雰囲気中で、基盤のみが昇華する温度で加熱を行なうことを特徴とする、孔径が50〜1000nmの細孔を有する金多孔質体の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 18/42 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  C23C 30/00 ,  C22C 1/08

FI (5件)：

C23C18/42 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C23C30/00 B ,  C22C1/08 C

Fターム (19件)：

4K022AA02 ,  4K022AA36 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022DA01 ,  4K022DA03 ,  4K022DB01 ,  4K022DB29 ,  4K022EA01 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044AB04 ,  4K044BA08 ,  4K044BB01 ,  4K044BB13 ,  4K044BC00 ,  4K044CA15 ,  4K044CA62