特許

J-GLOBAL ID：200903011955270077

半導体素子及びその製造方法

発明者： 芳之内 淳 ,  矢追 善史 ,  森田 達夫 ,  土本 修平
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083688
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129609
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 ガラス基板から半導体素子への不純物イオンの混入を防止し、かつ、その効果が作製プロセスの洗浄、エッチング等の全てのプロセスに耐えうるようにする。【構成】 ガラス基板の少なくとも一面に、SiNxOy膜、SiNz膜を含む2層以上の被膜を形成する。またこの被膜は、SiNxOyからなり、前記yの値が、ガラス基板面から上方向においてほぼ2から0の値を連続的に有する膜であってもよい。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と該基板上に設けた被膜と、該被膜上に順次形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極で構成される薄膜トランジスタとからなる半導体素子において、前記被膜が少なくとも、窒素を含む珪素化合物の膜と酸素を含む珪素化合物の膜とからなり、前記酸素を含む珪素化合物の膜が基板側に形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-179778
  
• 特開昭58-164268
  
• 薄膜状半導体素子およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238709   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所