特許

J-GLOBAL ID：200903011960798268

窒化物系III-V族化合物層およびそれを用いた基板

発明者： 冨岡 聡
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-423551
公開番号（公開出願番号）：特開2004-115371
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】 品質が向上し、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系III-V族化合物層およびそれを用いた基板を提供する。【解決手段】 成長用基体10上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hより大きくなるように第1の成長層21を成長させる。次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。第1の成長層21の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第2の成長層22を成長させることにより、第1の成長層21の表面の窪みが埋められ、第2の成長層22の表面が平坦化される。第1の成長層21の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第1の成長層21から引き継がれた転位Dが表面の突部において横方向に屈曲し、第2の成長層22の表面まで伝播される転位Dの密度が大きく低減される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

III族元素としてガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種を含み、V族元素として少なくとも窒素(N)を含む窒化物系III-V族化合物層であって、 表面に複数の山形状の突起を有し、前記突起部分に伝播した転位を含む第1の成長層と、 前記複数の突起間の領域を埋めると共に、前記突起から伝播した転位を横方向に屈曲した状態で含む第2の成長層と を備えたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物層。

IPC (4件)：

C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C23C14/06 A ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (65件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077EH06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077SC01 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC10 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029EA02 ,  4K029FA01 ,  4K029GA05 ,  4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA26 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045GH09 ,  5F045HA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216110   出願人：シャープ株式会社