特許
J-GLOBAL ID：200903048176775120
窒化物半導体構造とその製法および発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216110
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106455
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、SiO2層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、SiO2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるSiまたはO2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、基板上に形成された窒化物半導体膜を有し、前記基板の成長面には凹部と凸部が設けられ、前記凹部では、前記窒化物半導体膜と前記基板との間に空洞を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
凹部及び凸部を成長面に設けた基板と、前記成長面上に形成された窒化物半導体膜とを有し、前記凹部において前記窒化物半導体膜と前記基板との間に空洞を有することを特徴とする窒化物半導体構造。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 5/323
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 5/323
