特許
J-GLOBAL ID：200903011984405291

アモルファスおよび部分的にアモルファスからなるナノスケールイオン貯蔵材料

発明者：
イェト-ミン・チャン

イェト-ミン・チャン について

, 
アンソニー・イー・プーレン

アンソニー・イー・プーレン について

, 
ノンラク・ミートン

ノンラク・ミートン について


出願人/特許権者：
エイ 123 システムズ,インク.

エイ 123 システムズ,インク. について


代理人 (3件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-543508
公開番号（公開出願番号）：特表2009-518262
出願日： 2006年12月01日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
アモルファス若しくは部分的にアモルファスのナノスケールイオン貯蔵マテリアルを提供する。例えば、リチウム遷移金属リン酸塩貯蔵化合物は、ナノスケールであり、調製された状態においてアモルファス若しくは部分的にアモルファスであるか、若しくは、リチウムによる電気化学的インターカレーション若しくはデインターカレーションの際、アモルファス若しくは部分的にアモルファスとなる。これらのナノスケールイオン貯蔵マテリアルは、高いエネルギー及び高い電力貯蔵バッテリ等のデバイスを提供するに有用である。
請求項（抜粋）：
少なくとも約10m2/gの比表面積を有する、主に結晶性のナノスケールリチウム遷移金属リン酸塩マテリアルであって、当該マテリアルのアモルファスの量が、脱リチオ化および/またはリチオ化により増加したことを特徴とするリチウム遷移金属リン酸塩マテリアル。
IPC (2件)：
C01B 25/45 ,  H01M 4/58
FI (3件)：
C01B25/45 Z ,  H01M4/58 101 ,  C01B25/45 M
Fターム (13件)：
5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CB07 ,  5H050CB11 ,  5H050CB12 ,  5H050FA20 ,  5H050GA18 ,  5H050HA02 ,  5H050HA05 ,  5H050HA07 ,  5H050HA10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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