半導体発光装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189404
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022712
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】良好な発光特性でもって、短波長(青色)の光を発振できる半導体発光装置を提供すること。【構成】p型GaAs基板1上に形成され、CdZnSeからなる半導体発光層9と、CdZnSe超格子7aとZnSe超格子7bとからなり、屈折率が半導体発光層9より小さく、且つ量子障壁構造を有する半導体発光層9を挾持する半導体超格子光ガイド層7,11とを備えている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された半導体発光層と、この半導体発光層の片面または両面に設けられ、半導体超格子層により形成され、屈折率が前記半導体発光層よりも小さく、且つ多重量子障壁層が形成されている光ガイド半導体層とを具備してなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平4-273491
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-020912 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-046788

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審査官引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-020912 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-046788
特開昭63-046788

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