半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224327
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069571
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【目的】耐湿性に優れたヒューズ素子を具備する半導体装置を提供する。【構成】半導体基板1上に、フィ-ルド酸化膜2と、二酸化シリコン膜4に形成されたコンタクトホール5を介して多結晶シリコン配線層3に接続された多結晶シリコンからなるヒューズ素子6を具備する。ヒューズ素子6上の層間絶縁膜をなすBPSG膜8の被溶断領域の外周部には開孔部12がガードリング状に設けられている。この絶縁膜の開孔部端の表面および側面が、チップ内の配線をなすアルミ配線層9と同一の層で形成されたアルミ配線層13と、前記アルミ配線層13の直上に配設されたパッシベ-ション膜10で覆われ、さらにパッシベーション膜10には開孔部11が設けられている。【効果】耐湿性がある構造となっているため、高信頼性と高溶断成功確率を有し、素子占有面積が小さい高集積化に適したヒューズ素子を提供できる。

請求項（抜粋）：

エネルギービーム照射法により溶断可能なヒューズ素子を具備する半導体装置において、前記ヒューズ素子を覆うように形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上で前記ヒューズ素子の上方に形成されかつ前記ヒューズ素子の被溶断領域に対応した領域に第1の開孔部が設けられた第2の層間絶縁膜と、前記第1の開孔部端の前記第2の層間絶縁膜の表面および側面が金属層または(および)前記金属層上のパッシベ-ション膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 21/316 , H01L 27/10 431

FI (3件)：

H01L 21/82 F , H01L 21/316 M , H01L 27/10 431

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-198783 出願人：ソニー株式会社

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