特許
J-GLOBAL ID:200903012062999466
マスクの製造におけるクリチカル寸法の露呈後の修正方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
吉武 賢次 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-279962
公開番号(公開出願番号):特開2003-255514
出願日: 2002年09月25日
公開日(公表日): 2003年09月10日
要約:
【要約】【課題】 放射線感受層の露呈画像を非同次の不均等な露呈後熱処理によって変更するためのシステム及び方法を説明する。【解決手段】 この処理は、露呈特徴部の様々な部分、例えば様々な露呈特徴部又はクリチカル寸法に、様々な熱束を提供するように形成された露呈後ベークオーブン又はホットプレート等の熱変更システムからの様々な熱束を提供する。熱変更システムは、熱エネルギ源から放射線感受層までの輻射エネルギ束を源と層との間の離間距離を調節することによって調節する一つ又はそれ以上の調節自在のスペーサを含む。
請求項(抜粋):
放射線感受層を放射線に露呈することによって放射線感受層に露呈画像を形成する工程と、露呈画像を実質的に不均一の熱処理により処理することによって露呈画像を修正する工程とを含む、方法。
IPC (3件):
G03F 1/08
, G03F 7/40 511
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 1/08 T
, G03F 7/40 511
, H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 502 P
Fターム (8件):
2H095BB02
, 2H095BB06
, 2H095BB14
, 2H095BB32
, 2H095BB33
, 2H095BB36
, 2H096AA24
, 2H096HA05
引用特許:
審査官引用 (1件)
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-001659
出願人:株式会社東芝
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