半導体装置用基板の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211801
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031495
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】本願発明は、電界効果型半導体装置の性能向上のために、平坦かつ低欠陥密度の歪緩和SiGe仮想基板を提供する。【解決手段】SOI基板上に形成されたSiGe層の上部を絶縁膜で被覆してGe蒸発を防止し、さらにSiGe層のGe含有率により決まる固相線以上の温度でSiGe層を部分溶融状態にし、ここから絶縁層上Si層にGeを拡散させて行くことにより固化させ、歪緩和SiGe仮想基板を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁層の上部に形成された単結晶シリコン層上に、シリコンとゲルマニウムの混晶層を形成する工程と、前記シリコンとゲルマニウムの混晶層を溶融する工程と、前記単結晶シリコン層に対して前記シリコンとゲルマニウムの混晶層よりゲルマニウムを拡散しつつ当該シリコンとゲルマニウムの混晶層を固化させる工程を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 27/12 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 X , H01L 27/12 R , H01L 29/78 618 B

Fターム (30件)：

5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052DA01 , 5F052DA03 , 5F052GC05 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA07 , 5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110GG58 , 5F110HJ13 , 5F110HM15 , 5F110NN02

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-185712
特開昭59-184518
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-346561 出願人：株式会社東芝

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