半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346561
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243946
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】通常のシリコン基板を用いることができ、しかもSiGe層の膜厚が薄くても良質な歪みシリコン結晶層を形成することを可能にする。【解決手段】シリコン単結晶基板11上に酸素が添加された第1のシリコン結晶層12を形成する工程と、第1のシリコン結晶層12上にシリコン・ゲルマニウム結晶層13を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム結晶層13上に第2のシリコン結晶層14を形成する工程と、熱処理により第2のシリコン結晶層14に歪みを与える工程とを有する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上に酸素が添加された第1のシリコン結晶層を形成する工程と、この第1のシリコン結晶層上にシリコン・ゲルマニウム結晶層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/161 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 29/163 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 E

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-135037 出願人：株式会社東芝
特開平2-237033
特開平3-235348

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