特許
J-GLOBAL ID：200903012074924950
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007339
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316449
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【課題】完全プレーナ構造であって、光ファイバからの光を効率よく検出できる光検出器を提供する。【解決手段】光ファイバ16を固定するために光ファイバ固定溝15とフォトダイオード部25の間に、相対的に屈折率の小さいN+埋込層2とロコス酸化膜4とによって相対的に屈折率の大きいN型エピタキシャル層3が挟まれた光導波路構造となっている光導波路領域32を設ける。光ファイバ16からの光は、この光導波路を介し、素子分離のための分離領域5を通過して、フォトダイオードの下部に到達し、エバネセント波結合によりフォトダイオードの光吸収層に注入される。光吸収層は、例えば、枠型のシリコン酸化膜8で囲まれた領域に形成されたSi/SiGe超格子層10で構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にフォトダイオードが形成され光検出器として用いられる半導体装置において、前記フォトダイオードを素子分離するための分離領域と、前記半導体装置の表面内部に形成されるとともに、上部及び下部にそれぞれ配置された第1の低屈折率領域及び第2の低屈折率領域によって挟まれたシリコン導波路とを有し、前記シリコン導波路の一端側の延長部分が前記分離領域を介して前記フォトダイオードの下部にまで至っていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 27/14
, G02B 6/122
, G02B 6/42
, H01L 21/76
, H01L 27/15
, H01L 31/0232
, H01L 31/10
H01L 27/14 Z
, G02B 6/42
, H01L 27/15 D
, G02B 6/12 A
, H01L 21/76 L
, H01L 31/02 C
, H01L 31/10 A
