特許
J-GLOBAL ID：200903012090896168
酸化物超電導導体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043316
公開番号（公開出願番号）：特開2001-236834
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 薄型化可能で、耐熱性に優れた酸化物超電導導体用基材および薄型化され臨界電流密度の高い酸化物超電導導体を得る。【解決手段】 金属からなる厚さ7〜30μm心材11と、この心材の両面に形成された、ニッケル合金からなる厚さ7〜30μmの表材12、13とからなる複合基材10と、この複合基材上に形成され多数の結晶粒が結合されてなる多結晶薄膜からなる中間層と、この中間層上に形成され酸化物超電導体からなる酸化物超電導層とからなることを特徴とする酸化物超電導導体を提供する。
請求項（抜粋）：
金属からなる厚さ7〜30μm心材と、この心材の両面に形成された、ニッケル合金からなる厚さ7〜30μmの表材とからなる複合基材と、この複合基材上に形成され多数の結晶粒が結合されてなる多結晶薄膜からなる中間層と、この中間層上に形成され酸化物超電導体からなる酸化物超電導層とからなることを特徴とする酸化物超電導導体。
Fターム (12件)：
5G321AA01
, 5G321AA04
, 5G321AA06
, 5G321AA07
, 5G321CA04
, 5G321CA18
, 5G321CA21
, 5G321CA27
, 5G321CA28
, 5G321DB36
, 5G321DB37
, 5G321DB39
