特許

J-GLOBAL ID：200903012093502187

プロセスチャンバ装置及び処理装置

発明者： 荒見 淳一 ,  遠藤 昇佐
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 芦田 哲仁朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-304795
公開番号（公開出願番号）：特開平11-140648
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】【課題】 プロセスチャンバを上下に分割して互いに分離可能にし、プロセスチャンバ内部のメンテナンスを容易に行えるようにしたプロセスチャンバ装置及びこのプロセスチャンバ装置を有する処理装置を提供する。【解決手段】 プロセスチャンバ装置は、それぞれ下端及び上端に互いに接合可能な接合縁5,6を有する上側プロセスチャンバ部3及び下側プロセスチャンバ部4を含むプロセスチャンバ2と、両プロセスチャンバ部3,4を接離させるための移動機構18,23とを具備し、処理装置1,101,201はこのプロセスチャンバ装置を有する。

請求項（抜粋）：

下方に開放し下端に接合縁を有する上側プロセスチャンバ部と、上方に開放し上端に該上側プロセスチャンバ部の接合縁に合致する接合縁を有する下側プロセスチャンバ部とを具備するプロセスチャンバと、前記両プロセスチャンバ部を相対的に接離させるための移動機構とを具備して成ることを特徴とするプロセスチャンバ装置。

IPC (6件)：

C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  C23C 14/00

FI (6件)：

C23C 16/44 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  C23C 14/00 C ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ウエハ処理装置のメンテナンス機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-292902   出願人：富士電機株式会社