特許

J-GLOBAL ID：200903012095704950

エピタキシャル成長半導体層を有する半導体基板の選別方法と半導体装置の製造方法

発明者： 滝澤 律夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-298486
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139408
出願日： 1995年11月16日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板において、最終的に得る半導体装置に不良品が生じる半導体基板を判別できるようにして、これによってこの不良品を生じる不適当な半導体基板を、半導体装置の製造の初期の段階で排除することができるようにして以後の無駄な作業を除くことができ、これによって不良品の発生率の改善、ひいてはコストの低減化、信頼性の向上をはかることができるようにする。【解決手段】 半導体サブストレイト1上にエピタキシャル成長半導体層2を有する半導体基板13が、半導体サブストレイト1の再結合ライフタイムをTsubとし、エピタキシャル成長半導体層の再結合ライフタイムをTepi とするとき、Tepi /Tsub が所定の値となる半導体基板を半導体装置を構成する半導体基板として選別する。

請求項（抜粋）：

半導体サブストレイト上にエピタキシャル成長半導体層を有する半導体基板が、上記半導体サブストレイトの再結合ライフタイムをτsub とし、上記エピタキシャル成長半導体層の再結合ライフタイムをτepi とするとき、τepi /τsub が所定の値となる半導体基板を選別して目的とする半導体装置を形成する半導体基板として用いることを特徴とするエピタキシャル成長半導体層を有する半導体基板の選別方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 27/148 ,  H01L 27/14

FI (5件)：

H01L 21/66 M ,  H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 X ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エピタキシャルウェハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-355507   出願人：ソニー株式会社
• ウエーハの評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-288610   出願人：川崎製鉄株式会社