特許

J-GLOBAL ID：200903012140443640

半導体集積回路

発明者： 中野 実 ,  柴田 久雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087413
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286385
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の特性向上を図ることにある。【解決手段】 半導体基板52と信号配線層54との間に、グランドレベル又は電源電圧レベルに固定されたシールド用メタル層31を積層する。このシールド用メタル層により、半導体基板からのノイズが信号配線層へ伝達されるのを阻止することができるので、ノイズの回り込みを低減することができ、回路動作の安定化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板に設けられた信号配線層とを有する半導体集積回路において、上記半導体基板と上記信号配線層との間に、グランドレベル又は電源電圧レベルに固定されたシールド用メタル層が所定の領域を除いて上記半導体基板のほぼ全面を覆うように積層されて成ることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 L

Fターム (20件)：

5F038AC05 ,  5F038BB06 ,  5F038BE07 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CA17 ,  5F038CD05 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA06 ,  5F064BB35 ,  5F064EE26 ,  5F064EE45 ,  5F064EE52 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09 ,  5F064HH11 ,  5F064HH12 ,  5F064HH15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 集積回路における経路配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-339612   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー