特許

J-GLOBAL ID：200903012166248829

配向性強誘電体薄膜素子およびその作製方法

発明者： 梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280168
公開番号（公開出願番号）：特開平8-212830
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】 単結晶基板上に、気相成長法および有機金属化合物の塗布及びその後の加熱による成長法を用いて、表面が平滑なエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜を形成させることにより、光導波路素子および光変調素子等に利用可能な配向性強誘電体薄膜素子、及びその作製方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板上に、気相成長法により積層したエピタキシャルまたは高配向性の第1の強誘電体膜と、その上に有機金属化合物の塗布およびその後の加熱により形成したエピタキシャルまたは配向性の第2の強誘電体膜を有することからなる配向性強誘電体薄膜素子及びその作製方法。この第2の強誘電体膜は、有機金属化合物の塗布およびその後の加熱を数回繰り返すことによって形成することができる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板と、この単結晶基板上に気相成長法により積層したエピタキシャルまたは高配向性の第1の強誘電体膜と、この第1の強誘電体膜の上に、有機金属化合物の塗布およびその後の加熱により形成したエピタキシャルまたは配向性の第2の強誘電体薄膜とを有することを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-005999
  
• 多層強誘電体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288152   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開昭63-270397