特許
J-GLOBAL ID：200903012172362587

プラズマ処理装置

発明者：
広瀬 圭三

広瀬 圭三 について

, 
永関 一也

永関 一也 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-308310
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148295
出願日： 1994年11月17日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 高微細なプラズマ処理加工を実施する上において、比較的簡素な平行平板形式の装置構成を採りつつプラズマの拡散を抑えて、プラズマ密度および所定密度のプラズマを得るための電力の向上を図り、処理容器内にある部材へのデポの付着を防止する。【構成】 サセプタ5上のウエハWよりも下方でかつ処理容器2に設けた排気口41よりも上方に、処理容器2内壁と同電位でかつ多数の透孔を形成した、プラズマ漏出防止体51を設置し、サセプタ5周囲空間の上方を覆う。前記透孔の大きさは、プラズマを通過させない大きさとする。【効果】 処理容器2内のプラズマは、プラズマ漏出防止体51よりも下方に拡散しないので、その分プラズマ密度が向上し、排気口41にデポが付着することもない。
請求項（抜粋）：
処理容器に設けた排気口から処理容器内が減圧自在であって、かつ前記処理容器内に上下平行に対向して設けられた上部電極と下部電極との、少なくとも一方の電極に高周波電力を印加して前記処理容器内にプラズマを発生させて、前記下部電極上の被処理体に対し前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において、前記被処理体よりも下方でかつ前記排気口よりも上方に位置して下部電極周囲空間の上方を覆うプラズマ漏出防止体を有し、このプラズマ漏出防止体は処理容器内壁と導通して当該処理容器内壁と同電位であって、かつ多数のガス流通開口を具備してなり、さらに当該ガス流通開口はプラズマを通過させない大きさを有していることを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
引用特許：
審査官引用 (3件)

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