特許
J-GLOBAL ID：200903012207416359
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-063230
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273338
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト不良やTFT特性の劣化を防止できるようにする。【構成】 半導体膜の結晶化を助長する元素の選択導入領域101とTFTの形成領域104とが重ならない配置とする。あるいは、選択導入領域101とTFTの形成領域104とが重ならず、かつ、TFTの形成領域104が成長端部103の内側に配置された構成とする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の上に、又は、基板の表面上に形成した絶縁膜の上に、少なくとも一部が多結晶領域となった半導体膜が形成され、該多結晶領域が、該多結晶領域よりも狭く、かつ、非晶質半導体膜の結晶化を助長する元素が選択的に導入された選択導入領域を成長させることにより得られ、該多結晶領域を用いて薄膜トランジスタが形成されている半導体装置であって、該選択導入領域と該薄膜トランジスタの形成領域とが重ならない配置構成となっている半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 27/12
