特許

J-GLOBAL ID：200903012214431258

積層体の製造方法

発明者： 菱田 元樹 ,  藤田 雅
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (2件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-042351
公開番号（公開出願番号）：特開2009-197294
出願日： 2008年02月25日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】本発明の課題は、コールドスプレー法で得られる従来の積層体と比較して皮膜の強度および基材に対する皮膜の接合強度に優れる積層体の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、コールドスプレー法によって基材2の表面に皮膜3を形成する積層体1の製造方法において、前記基材2の表面に、この基材2の物性と前記皮膜3の物性との間の物性を示す素材からなる中間層Mを少なくとも1層形成した後に、この中間層M上に前記皮膜3を形成することを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

コールドスプレー法によって基材の表面に皮膜を形成する積層体の製造方法において、 前記基材の表面に、この基材の物性と前記皮膜の物性との間の物性を示す素材からなる中間層を少なくとも1層形成した後に、この中間層上に前記皮膜を形成することを特徴とする積層体の製造方法。

IPC (1件)：

C23C 24/08

FI (1件)：

C23C24/08 B

Fターム (10件)：

4K044AA06 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA10 ,  4K044BB03 ,  4K044BB11 ,  4K044BB17 ,  4K044CA23 ,  4K044CA24 ,  4K044CA29

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁基板および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-226990   出願人：富士電機ホールディングス株式会社