特許
J-GLOBAL ID：200903012217509568

発光素子に自己整合及び自己露光フォトレジストパターンを作製する方法

発明者：
ウィリアム ディー コリンズ ザ サード

ウィリアム ディー コリンズ ザ サード について

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ウェイン エル スナイダー

ウェイン エル スナイダー について

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ダニエル エイ スタイガーウォルド

ダニエル エイ スタイガーウォルド について


出願人/特許権者：
ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー

ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-077030
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298106
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 発光素子にフォトレジストマスクを形成する方法を開示することを目的とする。【解決手段】 発光素子の一部はフォトレジストで被覆される。フォトレジストの一部は発光素子とフォトレジストの界面に当てられる発光素子の内部からの光によって露光される。フォトレジストは現像され、露光されたフォトレジスト又は露光されないフォトレジストのいずれかを除去する。一の実施態様において、フォトレジストマスクは蛍光体被覆層を形成するために使用されてもよい。フォトレジストが現像されて露光されたフォトレジストを除去した後、蛍光体層は発光素子を覆うように堆積される。フォトレジストの未露光部分は剥ぎ取られる。一部の実施態様では、フォトレジストを露光する光は発光素子に電気的バイアスをかけることによって、又はアパーチャを介して又は集束レーザーによって発光素子に光を当てることによって生成される。
請求項（抜粋）：
発光素子の少なくとも一部をフォトレジストで被覆し、フォトレジストの一部を露光し、ここでフォトレジストの該部分は発光素子とフォトレジストの界面に当たっている発光素子の内部からの光によって露光されるものであり、及びフォトレジストを現像することを含み、ここで現像はフォトレジストの露光部分及び未露光部分のうちの一方を除去することである方法。
Fターム (6件)：
5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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