特許
J-GLOBAL ID:200903012229367254

メタロセン化合物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 朝日奈 宗太 ,  秋山 文男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-133740
公開番号(公開出願番号):特開2005-314287
出願日: 2004年04月28日
公開日(公表日): 2005年11月10日
要約:
【課題】本発明は、小さなオフ電流と、大きなオン/オフ比と、大きなオン電流を達成するために必要な、高い電界効果移動度を示す薄膜トランジスタ用有機半導体材料を得ることを目的としており、さらに材料安定性に優れた薄膜トランジスタ用有機半導体材料を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明は、少なくとも1つ以上のメタロセン骨格部位と、5員環の複素芳香族環、6員環の芳香族環、またはこれらの縮合芳香族環から構成される構造を有するメタロセン化合物に関する。また、本発明は、前記メタロセン化合物からなる薄膜トランジスタ用有機半導体材料に関する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも1つ以上のメタロセン骨格部位と、5員環の複素芳香族環、6員環の芳香族環、またはこれらの縮合芳香族環から構成される構造を有するメタロセン化合物。
IPC (6件):
C07F17/02 ,  C07D333/18 ,  C07D333/32 ,  C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (6件):
C07F17/02 ,  C07D333/18 ,  C07D333/32 ,  C08G61/12 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28
Fターム (51件):
4C023FA03 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB91 ,  4J032BA03 ,  4J032BB06 ,  4J032BC01 ,  4J032CA24 ,  4J032CB03 ,  4J032CG01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34
引用特許:
出願人引用 (1件)

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