特許

J-GLOBAL ID：200903012237214858

半導体基板及びその製造方法

発明者： 石神 俊一郎 ,  降屋 久
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211045
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078646
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 CZ成長シリコンウェーハを2枚貼り合わせて作られる絶縁層上のSOI層の全域の酸素濃度を1.0×1017/cm3以下にする。機械的強度が十分高く量産性に優れる。【構成】 CZ法で引上げたシリコン結晶棒からそれぞれ作製された第1シリコンウェーハ11と第2シリコンウェーハ12とを絶縁層13を介して接合し、接合した両シリコンウェーハ11,12を熱処理して貼り合わせた後、シリコンウェーハ11又は12を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のSOI層12aとする半導体基板の製造方法である。上記接合した両シリコンウェーハ11,12を1100〜1200°Cの温度範囲で1〜10時間熱処理して貼り合わせた後、400〜900°Cの温度範囲で再度熱処理することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハ(11)上に絶縁層(13)が形成され、前記絶縁層(13)上にデバイス形成用のSOI層(12a)が形成され、前記シリコンウェーハ(11)の酸素濃度が1.0〜1.5×1018/cm3の範囲にある半導体基板において、前記SOI層(12a)の酸素濃度が0.5〜1.0×1017/cm3であって、かつ前記シリコンウェーハ(11)がCZ法で引上げたシリコン結晶棒から作製されたシリコンウェーハからなり、前記SOI層(12a)がCZ法で引上げたシリコン結晶棒から作製されたシリコンウェーハを薄膜化して形成されたことを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-259539
  
• SOIウエハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212200   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-072931
  
• 特開平4-124874