特許

J-GLOBAL ID：200903012241987551

半導体記憶装置

発明者： 久保田 靖
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229807
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077429
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 スタック型半導体記憶装置のメモリセルアレイ周辺部で、蓄積電極のパターン剥がれを低減して、ダスト発生を防止する。これにより、歩留を向上させる。対象とするスタック型半導体記憶装置は、拡散領域D上に蓄積電極Sを有するスタック型メモリセルを行列状に配してメモリセルアレイMAを構成し、メモリセルアレイMAの周辺部に非動作領域A#を設けたものである。【構成】 非動作領域A#内の蓄積電極S′,S′′を互いに複数接続する。互いに接続する蓄積電極S′,S′′は同一のビット線Bに接続されているものとする。

請求項（抜粋）：

拡散領域上に蓄積電極を有するスタック型メモリセルを行列状に配してメモリセルアレイを構成し、上記メモリセルアレイの周辺部に非動作領域を設けた半導体記憶装置において、上記非動作領域内の蓄積電極は、互いに複数接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-082077
  
• 特開昭58-103163
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-025397   出願人：富士通株式会社