特許
J-GLOBAL ID：200903012257365046

光磁気記録媒体

発明者：
中谷 守雄

中谷 守雄 について

, 
棚瀬 健司

棚瀬 健司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081809
公開番号（公開出願番号）：特開2000-276788
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 記録密度が高密度になっても録層の各磁区を正確に再生層に転写し、その転写した磁区を検出できる光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】 光磁気記録媒体10は、透光性基板1と、下地層2と、再生層3と、非磁性層4と、第1の記録層5と、第2の記録層6と、保護層7とを備える。再生層3は、室温で面内磁化膜であり、温度Tc0以上で垂直磁化膜となる磁性層であり、第1の記録層5は、温度Tc0より高い第1のキュリー温度Tc1を有し、第2の記録層6は、第1のキュリー温度Tc1より高い第2のキュリー温度Tc2を有する。また、非磁性層4の膜厚と第1の記録層5の膜厚との和は、第2の記録層6の磁区が静磁結合により再生層3へ転写できない膜厚である。
請求項（抜粋）：
再生層と、前記再生層に接して形成された非磁性層と、前記非磁性層に接して形成された第1のキュリー温度を有する第1の記録層と、前記第1の記録層に接して形成された前記第1のキュリー温度より高い第2のキュリー温度を有する第2の記録層とを含む光磁気記録媒体。
IPC (3件)：
G11B 11/10 506 ,  G11B 11/10 ,  G11B 11/10 501
FI (3件)：
G11B 11/10 506 A ,  G11B 11/10 506 U ,  G11B 11/10 501 A
Fターム (3件)：
5D075EE03 ,  5D075FF04 ,  5D075FF12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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