特許

J-GLOBAL ID：200903012259690270

レジスト・パターンの形成方法

発明者： 及川 朗 ,  宮田 修一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043758
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241840
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 レジスト・パターンの形成方法に関し、スルー・プットを低下させることなく、ディープUV用ポジ型化学増幅レジスト膜の周辺露光を行うことを可能にしようとする。【構成】 例えば半導体基板などの被加工基板に例えばディープUV用ポジ型化学増幅レジストなどのポジ型レジストを塗布し、そのポジ型レジストのウエハのエッジに於ける部分を除去する為の周辺露光を行い、加熱処理を行い、周辺露光以外の例えば回路パターンなどのパターン露光を行い、その後、ポジ型レジストの現像を行ってパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

被加工基板にポジ型レジストを塗布する工程と、次いで、前記ポジ型レジストの周辺露光を行う工程と、次いで、加熱処理を行う工程と、次いで、前記ポジ型レジストのパターン露光を行う工程と、次いで、前記ポジ型レジストの現像を行ってパターンを形成する工程とが含まれてなることを特徴とするレジスト・パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/38 501

FI (6件)：

H01L 21/30 577 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 569

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭61-079227
  
• 周辺露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-040616   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平3-042815
  

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-079227