シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-165181
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001394
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】シリコン多結晶の融解時におけるカーボンヒータによる電力消費を低減し、シリコン単結晶棒引上げ時の電力を均一にしてカーボンヒータ及び石英るつぼの劣化を抑制し、シリコン融液の融液面温度を容易に調整する。【解決手段】シリコン単結晶の引上げ装置は、石英るつぼ13の底部と保温筒19により囲まれる空間に環状の断熱体27が支軸16に嵌入して設けられ、断熱体27をるつぼ昇降手段17と独立して上昇又は下降させる断熱体昇降手段41を備える。引上げ方法は、断熱体27をシリコン多結晶融解時に石英るつぼ13の底部近傍の第1位置に上昇し、シリコン単結晶棒25の引上げ時に断熱体27を第1位置より下方に移動させる。断熱体昇降手段41は支持棒42と駆動ギヤと駆動モータ46とを有し、断熱体27には窓孔が形成される。窓孔は窓孔開放手段61により駆動する閉止板により開閉する。

請求項（抜粋）：

支軸(16)の上端に固定されかつチャンバ(11)内に設けられシリコン融液(12)を貯留する石英るつぼ(13)と、前記石英るつぼ(13)を前記支軸(16)を介して上昇又は下降させるるつぼ昇降手段(17)と、前記石英るつぼ(13)をカーボンヒータ(18)とともに包囲する保温筒(19)とを備えたシリコン単結晶の引上げ装置において、前記石英るつぼ(13)の底部と前記保温筒(19)により囲まれる空間に環状の断熱体(27)が前記支軸(16)に嵌入して設けられ、前記断熱体(27)を前記るつぼ昇降手段(17)と独立して上昇又は下降させる断熱体昇降手段(41)を備えたことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ装置。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/14 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 C , C30B 15/14 , H01L 21/208 P

Fターム (16件)：

4G050FE03 , 4G050FE16 , 4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF00 , 4G077EG18 , 4G077EH07 , 5F053AA12 , 5F053AA22 , 5F053BB04 , 5F053BB13 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053RR01 , 5F053RR13

引用特許：

審査官引用 (3件)

単結晶成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-220020 出願人：住友金属工業株式会社
単結晶育成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079408 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平4-046099

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