特許
J-GLOBAL ID：200903012304660078

プラズマ表面処理方法及び装置

発明者：
石井 徹哉

石井 徹哉 について


出願人/特許権者：
積水化学工業株式会社

積水化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 渡辺 昇 ,  原田 三十義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-215796
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049283
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】CF4等の安定なハロゲン化炭素を十分に分解し、処理効率を高め、排ガス処理の負担を軽減する。【解決手段】一次反応部20の前段電極22間に100〜30000Pa、好ましくは1000〜30000Paの一次プラズマ空間22aを形成し、この一次プラズマ空間22aでCF4等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスをプラズマ化し、COF2等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する。この一次反応ガスをより低圧の二次プラズマ空間42aでプラズマ化し、被処理物90との反応性を有するフッ素ラジカル等の反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成し、この二次反応ガスを被処理物90に接触させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスを100〜50000Paの第1の圧力下でプラズマ化し、不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する一次反応工程と、 前記一次反応ガスを前記第1圧力より低圧の第2の圧力下でプラズマ化し、被処理物との反応性を有する反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成するとともに、この二次反応ガスを被処理物に接触させる二次反応工程と、 を実行することを特徴とするプラズマ表面処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/304 645C ,  H05H1/46 M
Fターム (32件)：
5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CB03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB30 ,  5F157AA76 ,  5F157AA84 ,  5F157AA92 ,  5F157AA93 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BG33 ,  5F157BG37 ,  5F157BG39 ,  5F157BG73 ,  5F157CD34 ,  5F157CE32 ,  5F157CE89 ,  5F157CF04 ,  5F157DA11 ,  5F157DA21 ,  5F157DB02 ,  5F157DB14 ,  5F157DC81
引用特許：
出願人引用 (1件)

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