特許
J-GLOBAL ID：200903012312518612
炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189954
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031691
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成後の界面凖位密度を低減する。【解決手段】(1)水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化によって酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、水素と酸素の流量比を1:1よりも水素の流量が多い流量比とする。(2)酸化後の冷却を水素原子を含む雰囲気中でおこない、その冷却速度を0.3〜3°C/minの範囲とする。(3)酸化、冷却後の取り出し温度を900°C以下とする。
請求項（抜粋）：
加熱された炭化けい素表面上に、水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化によって酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、水素と酸素の流量比を1:1よりも水素の流量が多い流量比とすることを特徴とする炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 S
, H01L 29/78 301 G
