特許

J-GLOBAL ID：200903012312916480

基体上に接合して規則化配列したナノ構造体およびその製造方法

発明者： 和田 健二 ,  井上 悟 ,  轟 眞市 ,  ショ ショウチク
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265291
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073859
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】【課題】 基体上に規則化配列した酸化物などのナノ構造体を陽極酸化皮膜を用いて製作する。【構成】 導電層を有する基体上に金属を蒸着し、該金属を陽極酸化処理して基体上に多孔質陽極酸化皮膜からなる規則化配列した細孔を形成し、該細孔を化学溶解して細孔径を拡大し、該細孔中にナノ構造体物質を充填する。導電層は微細凹凸構造を設けてアンカー効果を発現させてナノ構造体物質と基体とを接合する。多層蒸着により形成される層間の隙間にもナノ構造体物質が充填されナノ構造体の倒壊が防止される。ナノ構造体を形成する物質をTiO2やZnOのように少なくとも紫外光や太陽光の紫外部を吸収して光触媒特性を有する化合物とすることができる。複合酸化物ナノ構造体を形成した後に、該陽極酸化皮膜のみを溶解除去すると、ナノチューブ、ナノドット、ナノロッド、ナノファイバ、ナノワイアなどの形状を有する基体上に規則化配列したナノ構造体が得られる。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された多孔質陽極酸化皮膜の規則化配列した細孔中に充填され、該細孔底部のアンカー効果を発現する微細凹凸構造を有する導電層上に直接接合していることを特徴とする基体上に直接接合して規則化配列したナノ構造体。

IPC (9件)：

C23C 28/00 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 30/00 ,  C25D 11/04 305 ,  C25D 11/16 302 ,  C25D 11/18 301 ,  C25D 11/18 311 ,  C25D 11/18 312

FI (9件)：

C23C 28/00 B ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 30/00 C ,  C25D 11/04 305 ,  C25D 11/16 302 ,  C25D 11/18 301 E ,  C25D 11/18 311 ,  C25D 11/18 312

Fターム (10件)：

4K044AA12 ,  4K044BA02 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BB04 ,  4K044BB14 ,  4K044CA04 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気記録媒体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-296766   出願人：キヤノン株式会社