特許

J-GLOBAL ID：200903012318278150

半導体集積回路及びその製造方法

発明者： 玉置 洋一 ,  芝 健夫 ,  久禮 得男 ,  中村 徹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219801
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063073
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路の素子分離等の用途に用いられるU字溝に関して、十字に交差する溝のレイアウトを行っても溝の交差部分の落ち込みを低減でき、集積回路を構成する素子の配置の制限を無くす。【構成】 素子分離用のU溝の交差部分に斜めパターンを使用することにより、実効的な溝幅の増加を抑えて溝埋め込み平坦化後の表面の段差(溝中央部の落ち込み)を低減する。十字の交差部では交差点の中心にダミーの島パターンを、T字の交差部分ではV型の凸パターンを形成する。【効果】 素子分離溝の実効的な溝幅の増大を従来の約1.4倍から約1.1倍に低減し、交差部分での段差を従来の0.29から0.16に低減することができ、集積回路の製造が容易になり、集積回路の良品率が従来の3倍以上に向上した。また、従来は上記の段差が大きくて製作が困難であったU溝分離型のCMOS集積回路の製造も可能になった。

請求項（抜粋）：

U字型の溝が交差部をもって形成された半導体集積回路において、上記溝の平面形状を、溝の交差部よって分離される直角部の角をとった斜めパターンで形成し、少なくとも溝の交差部に島状パターンが形成されたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/092