特許
J-GLOBAL ID：200903012322774200

プラズマ処理装置

発明者：
小河原 米一

小河原 米一 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-046077
公開番号（公開出願番号）：特開平9-234362
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 メンテナンス性及び真空容器内壁とライナーの密着性が良く、接地電極となる真空容器の接地面積が広く、ライナーからの酸素供給がなく、及びパーティクルの発生が少ないプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置は、プラズマ生成部とこのプラズマ生成部より生成されたプラズマ拡散部17とを具えており、プラズマ拡散部17を、真空容器21とカスプ磁場発生用電磁石18を以って構成したとき、真空容器21の内壁をシート状の非晶質(アモルファス)カーボン22で覆って構成した。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成部と該プラズマ生成部より生成されたプラズマが拡散するプラズマ拡散部とを具えていて、該プラズマ拡散部を真空容器及び磁場発生手段を以って形成してなるプラズマ処理装置において、前記真空容器の内壁をシート状の非晶質(アモルファス)カーボンで覆って構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
B01J 19/08 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
B01J 19/08 C ,  C23C 16/44 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M
引用特許：
審査官引用 (5件)
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