特許

J-GLOBAL ID：200903012332680262

配線基板

発明者： 飯野 祐二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216794
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049460
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】配線基板における銅を含む金属粉末の充填によって形成されるバイアホール導体の高導電率化と耐熱性を改善する。【解決手段】少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板1と、絶縁基板1の表面および/または内部に形成された複数層の導体配線層2と、導体配線層2間を電気的に接続するために絶縁基板1内に設けられ、銅を含有する金属粉末が充填されてなるバイアホール導体3とを具備する配線基板において、バイアホール導体3に錫(Sn)を前記銅(Cu)とのSn/(Cu+Sn)で表される重量比が0.25〜0.75となる割合で含有するとともに、少なくともCu3 Snで表される金属間化合物5を生成せしめる。

請求項（抜粋）：

少なくとも有機樹脂を含有する絶縁基板と、該絶縁基板の表面および/または内部に形成された複数層の導体配線層と、該導体配線層間を電気的に接続するために絶縁基板内に設けられ、金属成分として少なくとも銅を含有する金属粉末を充填してなるバイアホール導体とを具備する配線基板において、前記バイアホール導体中に錫(Sn)を前記銅(Cu)とのSn/(Cu+Sn)で表される重量比が0.25〜0.75となる割合で含有するとともに、Cu3Snで表される金属間化合物が存在することを特徴とする配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/09

FI (3件)：

H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 S ,  H05K 1/09 A

Fターム (45件)：

4E351AA01 ,  4E351BB01 ,  4E351BB23 ,  4E351BB26 ,  4E351BB31 ,  4E351BB35 ,  4E351BB49 ,  4E351CC11 ,  4E351CC17 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD12 ,  4E351DD21 ,  4E351DD52 ,  4E351EE02 ,  4E351EE03 ,  4E351GG04 ,  4E351GG06 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346CC33 ,  5E346CC39 ,  5E346DD12 ,  5E346DD22 ,  5E346DD31 ,  5E346DD33 ,  5E346DD47 ,  5E346DD48 ,  5E346EE31 ,  5E346FF18 ,  5E346GG02 ,  5E346GG19 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH01 ,  5E346HH07 ,  5E346HH18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 銅または銅合金の低温拡散接合方法およびそれを用いた導電ペーストおよび多層配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-134404   出願人：松下電器産業株式会社
• 多層回路基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257799   出願人：三星航空産業株式會社
• 多層配線基板、多層配線基板の製造方法および多層配線基板の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-030256   出願人：株式会社日立製作所